特許
J-GLOBAL ID：200903031645106804
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-138260
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067704
出願日： 1991年05月13日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含有しているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止している。(A)ナフタリン環を含む特殊な骨格構造のノボラツク型ポリグリシジルエーテル。(B)特殊なノボラツク型フエノール樹脂。(C)無機質充填剤。【効果】 熱サイクルテストによつて評価される特性が向上し装置が長寿命になる。また、パツケージ吸湿後、半田浸漬時においてもパツケージクラツクが生じない。特に、上記のようなエポキシ樹脂組成物を用いての樹脂封止は、大形の半導体装置において、高信頼性が得られる。
請求項（抜粋）：
下記の(A)〜(C)成分を含有してなるエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の一般式(1)で表されるジヒドロキシナフタリンと、下記の一般式(2)で表されるアルデヒド類とを縮合反応させて得られたノボラツク型樹脂をグリシジル化してなるエポキシ樹脂。【化1】【化2】〔上記式(2)において、R′は水素原子,炭素数10以下のアルキル基,フエニル基またはハロゲン含有フエニル基である。〕(B)下記の一般式(3)で表されるフエノール誘導体,一般式(4)で表されるフエノール誘導体、および一般式(5)で表されるフエノール誘導体の少なくとも一つ。【化3】【化4】【化5】〔上記式(3),(4),(5)において、nは1〜50の整数である。〕(C)無機質充填剤。
IPC (4件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/20 NHQ
, C08G 59/62 NJR
