特許

J-GLOBAL ID：200903031650114106

半導体装置の製造方法

発明者： 福野 禎雄
出願人/特許権者： 広島日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-260709
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124907
出願日： 1994年10月25日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】半導体基板上の絶縁膜に上層配線を形成する場合段切れの生じない良好なコンタクト孔を形成する。【構成】半導体基板1上の絶縁膜2上に形成したフォトレジスト膜3に開孔部4Aを形成した後、全面にCとFを主成分とする堆積膜5を形成し、次に開孔部4Aの底面の堆積膜を異方性プラズマエッチングにより中央から周辺に向かって除去し、同時に開孔部4Aの下方の絶縁膜2を前記プラズマエッチングにより除去していくことにより、テーパー形状のコンタクト孔6Aを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜とフォトレジスト膜とを順次形成したのちこのフォトレジスト膜に開孔部を形成する工程と、前記半導体基板を水素を含むHF系ガスを用いたプラズマ中で処理し前記開孔部内を含む全面にCとFを主成分とする堆積膜を形成する工程と、この堆積膜と前記絶縁膜に対するエッチング速度がほぼ等しい異方性プラズマエッチング法により前記堆積膜をエッチングし前記開孔部底面の中央から周辺に向って除去すると共に、当該エッチングにより前記開孔部内に露出した前記絶縁膜をエッチングしテーパーを有するコンタクト孔を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/302 M ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-261837
  
• 特開昭62-154734