特許
J-GLOBAL ID：200903031651938528
高周波半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-108031
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318805
出願日： 1993年05月10日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 整合回路に形成されたマイクロストリップの特性インピーダンスを高くさせ、マイクロストリップの長さを短小化させることが可能で、装置の小型化、高性能化に有効であり、しかも少量多品種生産に適している高周波半導体装置を提供する。【構成】 FET等の能動素子のみが形成されたチップ21と、受動素子のみが形成された整合回路チップ9,11がパッケージに実装されてワイヤーボンディング15により電気的に接続している。整合回路のチップ9,11の基板の厚みtを変化させて特性インピーダンスを制御する。
請求項（抜粋）：
第1の半導体基板上にトランジスタのみが形成された第1のチップと、第2の半導体基板上にマイクロストリップまたは金属-絶縁膜-金属(MIM)キャパシタのいずれか1つまたは両方が形成された第2のチップとを有し、前記第1のチップと前記第2のチップとが同一パッケージに実装されてワイヤーボンディングにより電気的に接続されていることを特徴とする高周波半導体装置。
IPC (4件)：
H01P 5/08
, H01L 23/12 301
, H01P 3/08
, H03F 3/60
