特許
J-GLOBAL ID：200903031656522397

非還元性誘電体磁器材料、積層セラミック電子部品及びその製造方法

発明者：
▼高▲島 浩昭

▼高▲島 浩昭 について

, 
米田 康信

米田 康信 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 宮▼崎▲ 主税
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-016168
公開番号（公開出願番号）：特開2003-212650
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：
【要約】【課題】 1300°C以下の低温で焼成でき、静電容量の特性を広範囲に制御でき、高い比誘電率、絶縁抵抗及びQ値を示し、高温負荷試験における不良が生じ難い、信頼性に優れた積層セラミック電子部品を、積層体を積み重ねて焼成した場合でも安定に得ることを可能とする非還元性誘電体磁器材料を提供する。【解決手段】 一般式[(CaXSr1-x)O]m[(TiyZr1-y)O2]で表わされ、x,y及びmが、それぞれ、0≦x≦1.0、0≦y≦0.5及び0.80≦m≦1.10である主成分と、前記主成分100モル%に対し、副成分として、Si酸化物をSiOに換算して0.5〜2.5モル%、MnO酸化物をMnOに換算して0.5〜3.5モル%及びAl酸化物をAl2O3に換算して0.01〜10モル%を含有する非還元性誘電体磁器材料。
請求項（抜粋）：
一般式[(CaXSr1-x)O]m[(TiyZr1-y)O2]で表わされ、x,y及びmが、それぞれ、0≦x≦1.0、0≦y≦0.5及び0.80≦m≦1.10である主成分と、前記主成分100モル%に対し、副成分として、Si酸化物をSiOに換算して0.5〜2.5モル%、MnO酸化物をMnOに換算して0.5〜3.5モル%及びAl酸化物をAl2O3に換算して0.01〜10モル%を含有することを特徴とする、非還元性誘電体磁器材料。
IPC (5件)：
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 304 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361 ,  H01G 4/12 364
FI (6件)：
C04B 35/46 C ,  C04B 35/46 E ,  H01B 3/12 304 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361 ,  H01G 4/12 364
Fターム (40件)：
4G031AA01 ,  4G031AA02 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA07 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA19 ,  4G031AA29 ,  4G031AA30 ,  4G031AA39 ,  4G031BA09 ,  4G031CA03 ,  4G031CA08 ,  4G031GA06 ,  4G031GA18 ,  5E001AB03 ,  5E001AE03 ,  5E001AH01 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AB01 ,  5G303AB14 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB15 ,  5G303CB16 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB30 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39
引用特許：
審査官引用 (2件)

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