半導体圧力センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：倉田政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-257035
公開番号（公開出願番号）：特開平6-109570
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月19日
要約：

【要約】【目的】圧力媒体の液体や腐食性ガスの圧力を一重構造のシリコンダイヤフラムにより直接検出できる小型で高精度で安価な半導体圧力センサを提供する。【構成】シリコンダイヤフラム1上に拡散抵抗2による歪みゲージを形成し、シリコンダイヤフラム1の受圧面に保護用薄膜3を設けた。保護用薄膜3は、有機物又は金属又は金属酸化物から構成することが好ましい。【効果】シリコンダイヤフラム1の受圧面の耐環境性が高くなり、圧力媒体の液体や腐食性ガスの圧力を一重構造のシリコンダイヤフラム1により直接検出することができ、小型化、高精度化が可能となる。また、二重構造に比べると、部品点数が減るので、安価に製造できる。

請求項（抜粋）：