特許
J-GLOBAL ID：200903031659346867
パワー半導体モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-321440
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163416
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】パワートランジスタとフリーホイーリングダイオードを組合せたパワー半導体モジュールを対象に、トランジスタチップとダイオードチップとの間の熱的干渉を抑制して放熱性を向上するように組立構造を改良する。【解決手段】パワートランジスタ6,フリーホイーリングダイオード7のチップ素子を組として絶縁基板5にマウントしたパワー回路組立体対し、トランジスタチップとダイオードチップを絶縁基板上に分離形成した導体パターン上に別々に振り分けてマウントし、具体的にはトランジスタチップをコレクタ導体パターン8上に半田マウントするとともに、ダイオードチップはアノード電極引出し側の主面の広い面域に半田マウント可能な処理を施した上で、アノード電極を絶縁基板に向けてエミッタ導体パターン9の上に半田マウントし、かつそのカソード電極とコレクタ導体パターンとの間を接続導体片12で相互接続する。
請求項（抜粋）：
外囲樹脂ケースと金属ベース板を組合せたパッケージに、パワートランジスタ,および該トランジスタに並列接続したフリーホイーリングダイオードのチップ素子を組とする1ないし複数組のパワー半導体素子を絶縁基板にマウントしたパワー回路組立体,外部導出端子を組み込んで構成したパワー半導体モジュールにおいて、前記のトランジスタチップとダイオードチップを、絶縁基板上に分離形成した導体パターン上に別々に振り分けてマウントしたことを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
引用特許：
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