特許

J-GLOBAL ID：200903031660645223

感光膜共重合体、感光膜共重合体の製造方法、感光膜、感光膜の製造方法、単量体の合成方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 鄭 載昌 ,  卜 ▲ちょる▼圭 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-368957
公開番号（公開出願番号）：特開平10-218947
出願日： 1997年12月27日
公開日（公表日）： 1998年08月18日
要約：

【要約】【課題】 エッチング耐性と耐熱性及び接着力は勿論、現像液に容易に溶解しないArF感光膜樹脂及びその製造方法を提供することを目的とし、さらに、この新規のArF感光膜樹脂に用いる共重合体及び共重合体を製造する方法、及び、前記ArF感光膜樹脂を含む感光膜及び感光膜の製造方法を提供する。また、前記ArF感光膜樹脂を含むフォトレジストを利用した半導体装置及び半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】 遠紫外線領域で用いることができる新規のフォトレジスト物質であり、ビシクロアルケン誘導体と無水マレイン酸、又はビニレンカルボネートを共重合させた3、000〜100、000分子量の共重合体であり、本発明の共重合体は優れたエッチング耐性と耐熱性及び接着性を有するだけでなく、現像液のTMAH溶液を用いて現像することが可能である。

請求項（抜粋）：

一般式(1)で表されるビシクロアルケンを含み、式(2)で表される無水マレイン酸及び式(3)で表されるビニレンカルボネートの少なくともいずれか一方を含む混合物を共重合させて得られる感光膜共重合体。【化1】[式中、Rは、水素原子または炭素原子数1〜10の置換、又は非置換されたアルキル基を表す。また、nは1または2を表す。]【化2】

IPC (8件)：

C08F232/04 ,  C07C 67/347 ,  C07C 69/753 ,  C08F 2/00 ,  C08F216/06 ,  C08F222/06 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (8件)：

C08F232/04 ,  C07C 67/347 ,  C07C 69/753 Z ,  C08F 2/00 ,  C08F216/06 ,  C08F222/06 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R