特許

J-GLOBAL ID：200903031660745520

レジストパターン形成方法

発明者： 石丸 昌晃
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-312326
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152200
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 窒化シリコン膜2上に所定寸法のレジスト開口部4を精度良く形成する。【構成】 窒化シリコン膜2の表面に波長180〜220nmの紫外線を照射して、膜表面を改質する。つぎに、カルボキシル基を側鎖に持つレジスト3を塗布し、ベークを行った後、電子線描画を行って、上記レジスト3に所定寸法の開口部4を形成する。上記紫外線照射により、レジスト残渣3bの発生を抑える。

請求項（抜粋）：

窒化シリコン膜の表面にカルボキシル基を側鎖に持つレジストを塗布し、ベークを行った後、電子線描画を行って、上記レジストに所定寸法の開口部を形成するレジストパターン形成方法において、上記レジストを塗布する前に、上記窒化シリコン膜の表面に波長180nm乃至220nmの紫外線を照射することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 361 A ,  H01L 21/30 341 P