粗くすることにより改良された光抽出を有する発光ダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-550471
公開番号（公開出願番号）：特表2008-527717
出願日： 2006年01月09日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

LEDデバイス上にn型窒化ガリウム(n型GaN)層を形成する工程と、前記n型GaN層の表面を粗くして前記LEDデバイスの内部からの光の抽出を高める工程と、によって半導体発光ダイオード(LED)デバイスを製造するためのシステム及び方法が開示される。

請求項（抜粋）：

半導体縦型発光ダイオード(VLED)デバイスの製造方法であって、 n型窒化ガリウム(n型GaN)層、活性層及びp型窒化ガリウム(p型GaN)層を含むVLEDデバイスの多層エピタキシャル構造を形成する工程と、水溶液中で前記VLEDデバイスの前記n型GaN層の表面を粗くする工程と、を含むことを特徴とする製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01L21/306 B

Fターム (8件)：

5F041AA03 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041CB15 , 5F043AA16 , 5F043BB10 , 5F043DD14 , 5F043GG10

引用特許：

出願人引用 (5件)

米国特許第6,821,804号
米国特許第3,954,534号
米国特許第5,431,766号

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