特許
J-GLOBAL ID：200903031663196063
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-321225
公開番号（公開出願番号）：特開2007-129097
出願日： 2005年11月04日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：
【課題】トレンチ構造を有する横型パワー半導体装置のトレンチ底部において、トレンチ内に形成された電極近傍の電界を緩和すること。【解決手段】トレンチ24の底部に形成された拡張Nドレイン領域25の内部に、P型フローティング領域45を形成する。P型フローティング領域45は、トレンチ24が隣接するP型の第1チャネル領域43およびP型の第2チャネル領域44の両方から離れ、かつ素子の上方から見て、トレンチ24内に形成された第1ゲート電極28および第2ゲート電極29とその間を埋める層間絶縁膜30の界面が拡張Nドレイン領域25と重なるオーバーラップ部分に、さらに重なるように形成されており、オーバーラップ部分での電界集中を緩和する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面層に形成されたトレンチによって該半導体基板の表面層が第1メサ領域と第2メサ領域に分割され、かつ第1メサ領域と第2メサ領域が交互に配置され、第1メサ領域および第2メサ領域で電流の引き出しを行う半導体装置であって、
半導体基板の表面層に形成されたウェル領域と、
前記ウェル領域内で、前記ウェル領域内に形成されたトレンチの底部に設けられた第1導電型のドレイン領域と、
第1メサ領域の表面層に設けられた第1導電型の第1ソース領域と、
前記第1ソース領域と前記ドレイン領域の間の前記第1メサ領域内で、前記トレンチの側壁に沿って設けられ、かつ前記第1ソース領域および前記ドレイン領域の両方に接する第2導電型の第1チャネル領域と、
前記第1チャネル領域に沿って前記トレンチの側壁に設けられた第1ゲート絶縁膜と、
前記第1ゲート絶縁膜に沿って前記トレンチの内側に設けられた第1ゲート電極と、
第2メサ領域の表面層に設けられた第1導電型の第2ソース領域と、
前記第2ソース領域と前記ドレイン領域の間の前記第2メサ領域内で、前記トレンチの側壁に沿って設けられ、かつ前記第2ソース領域および前記ドレイン領域の両方に接する第2導電型の第2チャネル領域と、
前記第2チャネル領域に沿って前記トレンチの側壁に設けられた第2ゲート絶縁膜と、
前記第2ゲート絶縁膜に沿って前記トレンチの内側に設けられた第2ゲート電極と、
前記ドレイン領域内で、前記トレンチの底部に設けられ、かつ前記第1チャネル領域および前記第2チャネル領域の両方から離れるとともに、上方から見て前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極の両方に重なる第2導電型のフローティング領域と、
前記第1ソース領域に電気的に接続する第1ソース電極と、
前記第2ソース領域に電気的に接続する第2ソース電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (7件)：
H01L29/78 301W
, H01L29/78 301V
, H01L29/78 653C
, H01L29/78 652J
, H01L29/78 652G
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 658B
5F140AA25
, 5F140AA29
, 5F140AA39
, 5F140AB03
, 5F140AC23
, 5F140BB04
, 5F140BC06
, 5F140BC15
, 5F140BC19
, 5F140BF43
, 5F140BF44
, 5F140BH05
, 5F140BH17
, 5F140BH25
, 5F140BH30
, 5F140BH41
, 5F140BH47
, 5F140BK08
, 5F140BK09
, 5F140BK13
, 5F140BK14
, 5F140BK20
, 5F140BK22
, 5F140BK25
, 5F140CB08
, 5F140CC11
, 5F140CD09
, 5F140CE07
, 5F140CE20
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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