有機電界効果型トランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-097092
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278822
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜として用いるプラスチックフィルムの取扱い性を向上させるとともに、熱寸法変化を抑制し、軽量、薄型及び柔軟な表示機器に用いる有機電界効果型トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ゲート絶縁膜として用いるプラスチックフィルムを支持基板に固定した後に、電界効果型トランジスタを構成する各電極等の構成要素を形成することにより、プラスチックフィルム上に素子を形成する各製造工程において、プラスチックフィルムの熱寸法変化と変形を抑制することが可能となり、熱寸法変化による素子のアライメントずれ等によって起こる電気特性の低下を抑制できるとともに、各製造工程における取り扱い性を向上させることができる。よって、ガラス基板等に代えて、プラスチックフィルムに容易、且つ高精度に有機電界効果型トランジスタを製造することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜としてプラスチックフィルムを用いる有機電界効果型トランジスタの製造方法において、トランジスタを構成するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び半導体層を形成する際に、前記ゲート絶縁膜の一方の面を支持基板に固定する工程と、前記ゲート絶縁膜の他方の面に前記ゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を覆うようにして、支持フィルムの一方の面を前記ゲート絶縁膜の他方の面に固定する工程と、前記ゲート絶縁膜を前記支持基板から剥離する工程と、前記支持フィルムの他方の面を支持基板に固定する工程と、前記ゲート絶縁膜の他方の面に前記ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極及びドレイン電極の上部、ソース電極とドレイン電極との間のゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程とを有することを特徴とする有機電界効果型トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/336 , H01L 51/05

FI (5件)：

H01L29/78 617T , H01L27/12 B , H01L29/78 627D , H01L29/78 618B , H01L29/28

Fターム (24件)：

5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE06 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK06 , 5F110HK32 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ16

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