特許

J-GLOBAL ID：200903031668015059

半導体装置

発明者： 金城 新 ,  春田 亮 ,  一谷 昌弘 ,  山口 利博 ,  中村 正則
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-089244
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284648
出願日： 1997年04月08日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 ソルダーレジスト膜5Aと樹脂封止体1の樹脂との界面に剥離が生じ、この剥離部に溜った水分の気化膨張によって樹脂封止体1に亀裂が生じる。また、ソルダーレジスト膜5Aと接着層11との間の界面に剥離が生じ、この剥離部に溜った水分の気化膨張によって樹脂封止体1に亀裂が生じる。【解決手段】 配線基板1のソルダーレジスト膜5Aの表面が半導体チップ7を封止する樹脂封止体12の樹脂で被覆される半導体装置であって、前記ソルダーレジスト膜5Aにその表面を粗くする表面処理が施されている。また、配線基板1のソルダーレジスト膜5Aの表面に接着層11を介在して支持リード10Aが固定され、前記支持リード10Aの表面が半導体チップ7を封止する樹脂封止体12の樹脂によって被覆される半導体装置であって、前記ソルダーレジスト膜5Aにその表面を粗くする表面処理が施されている。前記ソルダーレジスト膜5Aの表面粗さは、0.2[μm]以上、好ましくは0.4[μm]以上の算術平均粗さとなっている。

請求項（抜粋）：

配線基板のソルダーレジスト膜の表面が半導体チップを封止する樹脂封止体の樹脂によって被覆される半導体装置であって、前記ソルダーレジスト膜にその表面を粗くする表面処理が施されていることを特徴とする半導体装置。