特許
J-GLOBAL ID：200903031668153176
基板処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-194598
公開番号（公開出願番号）：特開2005-032883
出願日： 2003年07月09日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】ウエハの面内温度分布を全体にわたって略均一にする。【解決手段】天井面が彎曲面に形成されたアウタチューブ2と、ボート11を収容する処理室4を形成したインナチューブ3と、ボート11を支持しマニホールド6の下端開口を閉塞するシールキャップ17と、アウタチューブ2の側方に設置されたメインヒータ20と、メインヒータ20を被覆した断熱カバー19とを備えたCVD装置において、アウタチューブ2の上方にはサブヒータ26が輻射光がボート11の最上段の保持溝15に保持されたウエハWの中央部に向かうように敷設されており、サブヒータ26の上方にはその最上段のウエハWの中央部領域に反射光を略収束する凹面鏡27が配設されている。【効果】最上段のウエハの中央部はメインヒータによる加熱の不足分をサブヒータと凹面鏡で補われるので、最上段のウエハの面内温度分布は均一になる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
彎曲面が一端部に形成されており複数枚の基板を収納して処理する処理室が形成されたプロセスチューブと、前記プロセスチューブの彎曲面の外方に配設されたヒータと、このヒータが発生する熱を前記処理室の前記彎曲面側に位置する前記基板の中央部側に反射させる反射鏡と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L21/31
, H01L21/205
, H01L21/22
H01L21/31 B
, H01L21/205
, H01L21/22 511A
5F045AA06
, 5F045AB03
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AC12
, 5F045AD11
, 5F045BB03
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045EC01
, 5F045EK06
