特許

J-GLOBAL ID：200903031671840460

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 西塚 満 ,  太田 啓之
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-129575
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323792
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 製造歩留まりを向上させるとともに、横方向の光閉じ込めの十分な効果をあげる半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体レーザの製造方法であって、スラブ型の活性層及びクラッド層を形成する工程と、クラッド層を介して活性層と光結合するキャップ層を形成する工程と、キャップ層の一部分を除去して溝を形成する工程と、溝の内面に電極を形成する工程と、を含む。

請求項（抜粋）：

半導体レーザの製造方法であって、スラブ型の活性層及びクラッド層を形成する工程と、前記クラッド層を介して前記活性層と光結合するキャップ層を形成する工程と、前記キャップ層の一部分を除去して溝を形成する工程と、前記溝の内面に電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。

Fターム (11件)：

5F073AA12 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24