特許
J-GLOBAL ID：200903031677982860
成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-162573
公開番号（公開出願番号）：特開平6-220627
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1994年08月09日
要約：
【要約】【目的】スパッタリング成膜法によりダストの発生の問題及びボイド発生の問題を伴わずに基板上の微細な穴埋めを可能にした成膜装置を提供することを目的とする。【構成】本発明による成膜装置は、ターゲットと基板との距離を少なくとも基板の直径より大きく設定し、スパッタリング成膜時の真空槽内の圧力を1×10-1Pa以下に維持することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
スパッタリングにより基板上の基板上の微細な穴埋めを行うようにした成膜装置において、真空排気され、放電ガスを導入するようにされ、スパッタリング成膜時には1×10-1Pa以下の圧力に維持される真空槽と、真空槽内に対向して配置され、それぞれターゲット及び基板が装着され、しかもそれらの距離が少なくとも基板の直径より大きくなるように位置決めされたターゲット電極及び基板電極とを有することを特徴とする成膜装置。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/31
