特許
J-GLOBAL ID:200903031678658217

単結晶シリコン太陽電池素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 研二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-094359
公開番号(公開出願番号):特開平5-291597
出願日: 1992年04月14日
公開日(公表日): 1993年11月05日
要約:
【要約】【目的】 シリコン太陽電池の発電効率を上昇する。【構成】 シリコン基板10の表面には、ピラミッド上の凸部20が多数形成されている。このため、入射光が斜めであった場合における、凸部20の斜面で反射された光線の他の凸部20への入射の確率を上昇することができ、トータルとしての素子の光反射量を減少できる。従って、自動車のドアや住宅の壁面等太陽光が斜めに入射することが基本となる部位に設置する太陽電池素子の発電効率を上昇できる。
請求項(抜粋):
内部にpn接合を有するシリコン基板への光入射による正負キャリアの生成を利用した単結晶シリコン太陽電池であって、前記シリコン基板の表面には、多数の微小ピラミッドからなる凸部を有するテクスチャー構造が形成されており、各微小ピラミッドからなる凸部はシリコン基板の表面に垂直な方向に対し所定角度ずれた方向に向けて突出するように整列されていることを特徴とする単結晶シリコン太陽電池素子。

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