特許
J-GLOBAL ID:200903031679596231

バイアス回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-224504
公開番号(公開出願番号):特開平5-063470
出願日: 1991年09月05日
公開日(公表日): 1993年03月12日
要約:
【要約】【目的】 マイクロ波帯増幅器において使用するバイアス回路に関し、出力部における出力信号のレベル低下を改善することを目的とする。【構成】 他端が開放された低インピーダンスの第1の線路32の一端を、高インピーダンスの第2の線路31を介して、トランジスタからの出力信号を伝送する出力線路13に接続して、印加されたバイアス電圧を、該第1の線路の一端を介して該トランジスタ増幅器に供給するバイアス回路において、該第1,第2の線路の長さを(λ/4)よりもΔだけ異なる値に設定すると共に、該第1の線路の一端に検波部分4を設け、該検波部分で、該第1の線路を介して漏れてくる出力信号のレベルを該検波部分で検波するように構成する。
請求項(抜粋):
他端が開放された低インピーダンスの第1の線路(32)の一端を、高インピーダンスの第2の線路(31)を介して、トランジスタからの出力信号を伝送する出力線路(13)に接続して、印加されたバイアス電圧を、該第1の線路の一端を介して該トランジスタ増幅器に供給するバイアス回路において、該第1,第2の線路の長さを(λ/4)よりもΔだけ異なる値(Δは予め設定された値)に設定すると共に、該第1の線路の一端に検波部分(4) を設け、該検波部分で、該第1の線路を介して漏れてくる出力信号のレベルを該検波部分で検波する構成にしたことを特徴とするバイアス回路。
IPC (3件):
H03F 3/60 ,  H03F 1/02 ,  H03F 3/20

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