特許

J-GLOBAL ID：200903031683920094

プローブテスト方法

発明者： 佐藤 弘志
出願人/特許権者： 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-053247
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258045
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】半導体基板上に形成した半導体装置のプローブテスト方法に関し、良品と不良品とを正確に選別する。【解決手段】半導体装置10内のプリテスト対象素子のパッドP1,P2にプローブ針32を接触させ、そのプリテスト対象素子の、標準動作条件に比較して動作しにくい所定条件での動作可否を確認するプリテストを行い、そのプリテストにおいてそのプリテスト対象素子の動作が確認できなかった場合に、パッドP1,P2とプローブ針32との間の接触状態改善対策を行ってから、半導体装置10のテストを実施する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した半導体装置のプローブテスト方法であって、前記半導体装置内のプリテスト対象素子のパッドにプローブ針を接触させ、前記プリテスト対象素子の、標準動作条件に比較して動作しにくい所定条件での動作可否を確認するプリテストを行い、前記プリテストにおいて前記プリテスト対象素子の動作が確認できなかった場合に、前記パッドとプローブ針との間の接触状態改善対策を行ってから、前記半導体装置のテストを実施することを特徴とするプローブテスト方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/28

FI (4件)：

H01L 21/66 B ,  G01R 1/06 E ,  G01R 31/26 J ,  G01R 31/28 K

Fターム (17件)：

2G003AA07 ,  2G003AA10 ,  2G003AG04 ,  2G003AG12 ,  2G003AG13 ,  2G003AH05 ,  2G011AC14 ,  2G011AE03 ,  2G011AE22 ,  2G132AB01 ,  2G132AF07 ,  2G132AL03 ,  2G132AL04 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106CA15 ,  4M106DD06