特許

J-GLOBAL ID：200903031684758746

超電導体の製造方法

発明者： 真部 高明 ,  山口 巌 ,  相馬 貢 ,  熊谷 俊弥 ,  渡辺 知宏
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-136185
公開番号（公開出願番号）：特開2003-327496
出願日： 2002年05月10日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル配向した希土類123型超電導体膜を低められた温度での熱処理が可能な超電導体の製造方法を提供すること。【解決手段】 基材上にYbBa2Cu3O7-yの組成を持つ希土類123構造型酸化物超電導体膜を設けた超電導体の製造方法において、炭酸バリウムまたはフッ化バリウムとイッテルビウム酸化物と銅酸化物の混合物からなる前駆体膜を基材上に形成し、次に該前駆体膜を、酸素分圧0.25atm〜1atmの高酸素分圧雰囲気下で温度675〜800°Cの範囲にて熱処理を行いYbBa2Cu4O8を形成させる1段階、酸素分圧1×10-5〜1×10-3atmの低酸素分圧下で温度675〜850°Cの範囲にて熱処理を行い正方晶YbBa2Cu3O6を形成させる第2段階、及び酸素分圧0.2atm〜1atmの高酸素分圧下で温度200〜500°Cの範囲にて熱処理を行い斜方晶YbBa2Cu3O7-yを形成させる第3段階の熱処理を順次行うことにより、エピタキシャル配向したYbBa2Cu3O7-y膜を形成させることを特徴とする超電導体の製造方法。

請求項（抜粋）：

基材上にYbBa2Cu3O7-yの組成を持つ希土類123構造型酸化物超電導体膜を設けた超電導体の製造方法において、炭酸バリウムまたはフッ化バリウムとイッテルビウム酸化物と銅酸化物の混合物からなる前駆体膜を基材上に形成し、次に該前駆体膜を、酸素分圧0.25atm〜1atmの高酸素分圧雰囲気下で温度675〜800°Cの範囲にて熱処理を行いYbBa2Cu4O8を形成させる1段階、酸素分圧1×10-5〜1×10-3atmの低酸素分圧下で温度675〜850°Cの範囲にて熱処理を行い正方晶YbBa2Cu3O6を形成させる第2段階、及び酸素分圧0.2atm〜1atmの高酸素分圧下で温度200〜500°Cの範囲にて熱処理を行い斜方晶YbBa2Cu3O7-yを形成させる第3段階の熱処理を順次行うことにより、エピタキシャル配向したYbBa2Cu3O7-y膜を形成させることを特徴とする超電導体の製造方法。

IPC (7件)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ZAA ,  C01G 3/00 ,  C30B 1/04 ,  C30B 1/10 ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565

FI (7件)：

C30B 29/22 501 A ,  C01G 1/00 ZAA S ,  C01G 3/00 ,  C30B 1/04 ,  C30B 1/10 ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565 D

Fターム (26件)：

4G047JA03 ,  4G047JB02 ,  4G047JC02 ,  4G047KA04 ,  4G047KD02 ,  4G047KE06 ,  4G047LA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BC53 ,  4G077CA01 ,  4G077CA04 ,  4G077CA08 ,  4G077CA09 ,  4G077JA06 ,  4G077JB02 ,  4G077JB07 ,  4G077JB12 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB21 ,  5G321DB35 ,  5G321DB46 ,  5G321DB47

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Characterization of the YbBa2Cu3O7-y and YBa2Cu3O7-y thin superconducting films prepared by chemical