特許
J-GLOBAL ID：200903031695370324
ウェーハ離脱方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-231664
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085045
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】本発明は、半導体製造装置の静電吸着装置に静電吸着されたウェーハを静電吸着装置から離脱させるウェーハ離脱方法に関し、ウェーハを破損させることなく、半導体製造装置から速やかに離脱させることができるウェーハ離脱方法を提供することを目的とする。【構成】静電チャックの電極群Aに+1kVの正電圧を印加し、電極群Bに-1kVの負電圧を印加して電極群A、Bにシリコンウェーハを静電吸着させる。ウェーハを吸着した静電チャックにRFバイアス電圧を印加してウェーハ表面にプラズマを発生させてプラズマ処理を行う。次にウェーハの離脱を開始する。静電チャックの電極群A、電極群Bの電圧を0ボルトにしてから(図中a)、電極群Aに-1.5kVの負電圧を印加する(図中b)。その10秒後に電極群Bに+1.5kVの正電圧を印加する(図中c)ように構成する。
請求項（抜粋）：
第1の電極に正電圧が印加され、第2の電極に負電圧が印加されたことにより前記第1及び第2の電極に静電吸着されたウェーハを離脱するウェーハ離脱方法において、前記第1の電極に負電圧を印加してから前記第2の電極に正電圧を印加して、前記ウェーハを前記第1及び第2の電極から離脱させることを特徴とするウェーハ離脱方法。
IPC (2件)：
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