特許
J-GLOBAL ID：200903031697205037
突入電流制限型チャージポンプ昇圧回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-166277
公開番号（公開出願番号）：特開平10-014218
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】チャージポンプ昇圧回路にて、出力電流供給能力に影響を与えることなく、起動時の突入電流を制限する。【解決手段】従来のチャージポンプ昇圧回路にて、供給電圧側とコンデンサ(15)の接続をon/offするスイッチにPchFET(11)を使用し、そのゲート駆動電圧を、チャージ電圧を反転増幅した値により可変にする回路(12,14)を持つ。チャージ電圧が高く、突入電流が発生する恐れがない状態ではPchFET(11)の駆動電圧を大きくとり、on抵抗を小さくする。その反対に、チャージ電圧が低く、突入電流が発生する状態ではPchFET(11)の駆動電圧を小さくすることにより、PchFETのon抵抗を増大させる。
請求項（抜粋）：
供給電圧を所定周期毎に充放電するコンデンサの出力を利用して前記供給電圧を昇圧するチャージポンプ昇圧回路において、前記供給電圧の供給側と前記コンデンサとの間の線路をon/offするFETと、前記FETのゲート駆動電圧を前記コンデンサのチャージ電圧を反転増幅した値により可変するゲート駆動電圧可変回路とを含み、前記ゲート駆動電圧可変回路は、前記チャージ電圧が高い状態では、前記FETのゲート駆動電圧を大きくしてon抵抗を小さくし、前記チャージ電圧が低い状態では、前記FETのゲート駆動電圧を小さくしてon抵抗を増大することを特徴とするチャージポンプ昇圧回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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