特許
J-GLOBAL ID：200903031703189855
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064882
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267674
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】オン抵抗が低く、安全に主電流を制御でき、かつスイッチング速度の速い半導体装置を提供する。【構成】従来技術では電子電流の制御に用いていた反転層を利用したMOS構造を採らず、チャネルの構造としてソース領域2やドレイン領域1と同一導電型の領域(チャネル領域100)を絶縁ゲート6とショットキー接合8で挟み、両者のポテンシャルによって同領域100の多数キャリアに対するポテンシャルの高さを制御する構造とし、さらに少数キャリア注入用の反対導電型の領域10を別途設けてドレイン領域1の伝導度を制御するように構成した。
請求項（抜粋）：
ドレイン領域となる第1導電型の半導体基体の一主面に接して形成された、表面を絶縁膜で被覆されたゲート電極からなる絶縁ゲートを有し、上記ドレイン領域と上記絶縁ゲートに接して形成された第1導電型のチャネル領域を有し、上記絶縁ゲートと上記チャネル領域とに接して上記ドレイン領域に接しないように形成された第1導電型のソース領域を有し、上記ソース領域とオーミックコンタクトし、かつ、チャネル領域およびドレイン領域とはショットキー接合を形成する金属からなるソース電極を有し、上記ドレイン領域に接し、上記絶縁ゲートに接するかもしくは近傍であって、かつ上記ソース領域ならびに上記ソース電極とは接しないように形成された第2導電型領域を有し、上記第2導電型領域は上記ソース電極とは独立の別電極とオーミックコンタクトし、かつ、上記ゲート電極は、金属もしくは高濃度の第2導電型の半導体からなるものである、ことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 J
, H01L 29/78 321 V
