特許
J-GLOBAL ID：200903031714640419
透明導電性酸化スズ膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
牧野 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-049024
公開番号（公開出願番号）：特開平6-263443
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年09月20日
要約：
【要約】【目的】ドーパントとしてフツ素を含み、表面抵抗値が10Ω/□台の高導電性を有し、しかも、可視光の透明性にすぐれる酸化スズ膜を常圧CVD法にて簡単に安定して且つ低廉に製造する方法を提供することにある。【構成】スズ化合物とドーピング剤とを含む溶液を気化させ、これを常圧CVD装置に導き、予め加熱した基板に吹き付けて、透明導電性酸化スズ膜を製造する方法において、上記スズ化合物としてジメチルスズジクロリド又はモノメチルスズトリクロリドを用いると共に、ドーピング剤としてトリフルオロ酢酸を用いる。
請求項（抜粋）：
スズ化合物とドーピング剤とを含む溶液を気化させ、常圧CVD装置に導き、予め加熱した基板に吹き付けて、透明導電性酸化スズ膜を製造する方法において、上記スズ化合物としてジメチルスズジクロリド又はモノメチルスズトリクロリドを用いると共に、ドーピング剤としてトリフルオロ酢酸を用いることを特徴とする常圧CVD法による透明導電性酸化スズ膜の製造方法。
IPC (3件)：
C01G 19/02
, C23C 16/40
, H01B 13/00 503
