特許

J-GLOBAL ID：200903031716632235

分布増幅器

発明者： 伊藤 康之 ,  望月 満 ,  高木 直
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-131787
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304428
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】 複数のFETのプロセスのバラツキに依存することなく、利得変化の設定精度を改善する。【構成】 伝送線路4と伝送線路6との間に接続されるFETとして、それぞれゲート幅の異なるデュアルゲートFET15〜19を用い、上記デュアルゲートFET15〜19の第2ゲート端子G2と接地間にそれぞれ独立したバイアス回路20〜24を設け、上記デュアルゲートFET15〜19の第2ゲート電圧を上記FET15〜19の電流が飽和またはピンチオフとなるようにデジタル的に制御可能とした。

請求項（抜粋）：

複数個のFETのゲート端子間および上記FETのドレイン端子間をインダクタ素子または伝送線路で接続して成る分布増幅器において、上記FETとして、それぞれゲート幅の異なるデュアルゲートFETを用い、上記デュアルゲートFETの第2ゲート端子と接地間にそれぞれ独立したバイアス回路を設けて、上記デュアルゲートFETの第2ゲート電圧をこのFETの電流が飽和またはピンチオフとなるようにデジタル的に制御可能としたことを特徴とする分布増幅器。