特許

J-GLOBAL ID：200903031716688958

化合物半導体の製造方法および化合物半導体、並びに、化合物半導体装置

発明者： 友村 好隆 ,  池田 裕章
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-184823
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007617
出願日： 2001年06月19日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 N化合物を用いたMBE法によってN,Asを含むIII-V族の化合物半導体を作製する際に、結晶性の低下を招くことなく高い原料効率を得る。【解決手段】 N源としてNH3を用い、As分子線源としてAs2分子線を用いたMBE法によって、GaAs基板1上に、AlGaAs下部バリア層2、AlGaAsN井戸層(発光層)3、AlGaAs上部バリア層4を、順次積層して単一量子井戸構造10を作製する。その場合に、As/III族供給比=1とすると、As分子線源としてAs2を用いることによって、Asの付着確率は略1であるため過剰のIII族元素が発生することなく成長が可能である。これに対して、As4を用いた場合にはAsの付着確率が略0.5となるため過剰のIII族元素が発生して三次元成長を招く。したがって、As2を用いることによって、良好な結晶性を維持しつつ、高いN取り込み効率を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に、N原料としてN化合物を用いた分子線エピタキシー法によって、V族元素としてNおよびAsを含むIII-V族化合物半導体層を結晶成長させる化合物半導体の製造方法において、上記分子線エピタキシーにおけるAs原料分子線にはAs2分子線が含まれていることを特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/38 ,  H01S 5/323 ,  H01S 5/343

FI (5件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/38 D ,  H01S 5/323 ,  H01S 5/343

Fターム (24件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DA06 ,  4G077SC06 ,  4G077SC12 ,  5F073AA07 ,  5F073AA45 ,  5F073AA73 ,  5F073BA01 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB14 ,  5F073CB22 ,  5F073DA06 ,  5F073DA21 ,  5F073HA08 ,  5F103AA04 ,  5F103DD05 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103LL17 ,  5F103NN10 ,  5F103RR06