特許

J-GLOBAL ID：200903031719742155

エッチング装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 野田 泰利
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322570
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150481
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 エッチングによる反応生成物の堆積物が反応室の側壁に付着することを防止できるエッチング装置を提供する。【解決手段】 エッチング対象物5を収容する反応室1を備えたエッチング装置11において、前記反応室1の側壁32を加熱する加熱手段30を備えた。

請求項（抜粋）：

エッチング対象物を収容する反応室を備えたエッチング装置において、前記反応室の側壁をエッチング反応生成物のうち最も高い沸点をもつ反応生成物の沸点以上に加熱する加熱手段を備えたことを特徴とするエッチング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/90 A

Fターム (49件)：

4K057DA01 ,  4K057DB08 ,  4K057DB17 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE14 ,  4K057DG14 ,  4K057DM02 ,  4K057DM28 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5F004AA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004CA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA30 ,  5F004DB04 ,  5F004DB06 ,  5F004DB10 ,  5F004EA27 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK04 ,  5F033NN06 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS11 ,  5F033XX21 ,  5F033XX31