特許
J-GLOBAL ID：200903031720857977
気密封止形半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-245830
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106458
出願日： 1993年10月01日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】信頼性の高い気密封止形半導体装置を提供する。【構成】半導体ペレット1をマウントした金属ベース板2と気密封止用外囲ケース3との間をろう付けし、外部導出端子6に半導体ペレットから引出したワイヤ8との間をボンディングした気密封止形半導体装置において、(1)金属ベース板に無光沢電気Niメッキ9,および無光沢電気Auメッキ10を施した上で、半導体ペレットをAu/Si共晶ボンディングする。(2)外囲ケースの内のりに沿って金属ベース板上にろう付けの際に外囲ケースの接合部からケース内方に流れ出したろう材を取り込む凹溝2aを設ける。(3)外部導出端子のワイヤ接合部6aの表面にあらかじめ半光沢電気Niメッキ11を施し、かつワイヤ接合部の厚みTをワイヤ線径φの3倍以上にしてワイヤを超音波ボンディングする。
請求項（抜粋）：
半導体ペレットをマウントした金属ベース板に気密封止用外囲ケースをろう付け接合するとともに、該外囲ケースを貫通して封着支持した外部導出端子に半導体ペレットから引出したワイヤをボンディングした気密封止形半導体装置において、前記金属ベース板のペレットマウント面に無光沢電気Niメッキ,および無光沢電気Auメッキを施した上で半導体ペレットをAu/Si共晶ボンディングしたことを特徴とする気密封止形半導体装置。
IPC (2件)：
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