特許

J-GLOBAL ID：200903031723579480

半導体ウェハの洗浄評価方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 美紀
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-034344
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245284
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 ウェハ上の硫化物残渣を製造ライン上で短時間で容易に、しかも検出精度良く測定することができ、製品の歩留り及び信頼性の低下を抑えることができる。【構成】 硫酸を含む溶液で処理した後、水洗処理した半導体ウェハ2表面又は裏面の自然酸化膜を弗酸蒸気でドライエッチングして除去した後、該半導体ウェハ2表面及び裏面の少なくともどちらか一方に残留した硫化物をフーリエ変換赤外分光法により評価する。

請求項（抜粋）：

硫酸を含む溶液で処理した後、水洗処理した半導体ウェハ(2)表面又は裏面の自然酸化膜を弗酸蒸気でドライエッチングして除去した後、該半導体ウェハ(2)表面及び裏面の少なくともどちらか一方に残留した硫化物をフーリエ変換赤外分光法により評価することを特徴とする半導体ウェハの洗浄評価方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 341 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/31 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/66 ,  G01N 1/28

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  G01N 1/28 X