特許
J-GLOBAL ID：200903031725103598
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-017675
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232401
出願日： 1993年02月04日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 TFTのゲート電極等の導電体層を、下層に純Al、上層に陽極酸化可能な不純物を含むAlである複層構造を用いて形成することにより、抵抗を増加させることなくAlのヒロックを防止し、低リーク電流の陽極酸化膜の形成を可能にしてゲート電極とソース電極との短絡不良を抑制することを目的とする。【構成】 基板1上にアルミニウムを主成分とする第1の導電体層2が選択的に形成され、第1の導電体層2を被覆するようにして陽極酸化可能な高融点金属を不純物として含む陽極酸化膜3が形成され、陽極酸化膜3上に形成された絶縁薄膜層4を介して第1の半導体層5が第1の導電体層2と一部重なるように選択的に形成され、第1の半導体層5上に形成された第2の半導体層6a,6bを介し、第2の導電体層7a,7bが第1の半導体層5と一部重なるように形成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に形成され、アルミニウムを主成分とする第1の導電体層と、その第1の導電体層上に形成され、陽極酸化可能な高融点金属が不純物として添加され、陽極酸化されたアルミニウムを主成分とする絶縁層とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 29/40
