特許

J-GLOBAL ID：200903031726949750

半導体装置及びその製造方法

発明者： 塚本 雅則 ,  長山 哲治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-138099
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321204
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 配線層間のコンタクトにおける信頼性が高い貫通コンタクト構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 層間絶縁膜12、14に対するエッチング及び配線層13の膜厚方向における途中までのエッチングに際しては、配線層13に対する層間絶縁膜12、14のエッチング選択比が高い条件で行い、配線層13を貫通するエッチングに際してのみ、このエッチング選択比が低い条件で行う。この結果、コンタクト孔15のうちで配線層13を貫通している部分が順テーパ状になり、配線層13の膜厚が薄くても、この配線層13と配線層16との接触面積が広い。

請求項（抜粋）：

下層及び上層の層間絶縁膜とこれらの層間絶縁膜の間に設けられている配線層とをコンタクト孔が貫通しており、このコンタクト孔内に前記配線層が露出している半導体装置において、前記コンタクト孔のうちで前記配線層を貫通している部分が、前記下層の層間絶縁膜側から前記上層の層間絶縁膜側へ向かって広がる順テーパ状であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 M ,  H01L 21/88 D