特許
J-GLOBAL ID:200903031736467087
Bi含有複合金属酸化物薄膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
重野 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-200835
公開番号(公開出願番号):特開平9-049082
出願日: 1995年08月07日
公開日(公表日): 1997年02月18日
要約:
【要約】【課題】 気相成長法により、Bi含有複合金属酸化物薄膜を低温で成膜する。膜組成のコントロールを容易とする。【解決手段】 原料有機Bi化合物として、下記一般式(I)で表されるジビスマスチン化合物を用いる。【化4】【効果】 Bi-Bi結合の反応活性が高いことから、比較的低温で解裂するため、従来の化合物に比べて低温成膜が可能である。化合物中のBi含有量が従来の化合物に比べて2倍モルと多いため、Biが効率的に膜中に取り込まれ易く、膜組成コントロールが容易になる。
請求項(抜粋):
気相成長法によりBi含有複合金属酸化物薄膜を製造する方法において、揮発性Bi化合物として、下記一般式(I)で表されるジビスマスチン化合物を用いることを特徴とするBi含有複合金属酸化物薄膜の製造方法。【化1】
IPC (3件):
C23C 16/40
, B01J 19/00
, C30B 25/08
FI (3件):
C23C 16/40
, B01J 19/00 K
, C30B 25/08
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