特許

J-GLOBAL ID：200903031737214417

樹脂封止半導体装置

発明者： 大倉 寛一 ,  吉村 幸二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032921
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223305
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子を安定保持できるとともに外郭の機械的強度も十分な樹脂封止構造を持つ半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体発光素子2とこれを駆動するIC素子3とを低ガラス転移点の内皮樹脂5で被膜封止するとともに、内皮樹脂5周りを高ガラス転移点の外皮樹脂6で被膜封止し、内皮樹脂5の軟らかさを利用して半導体発光素子2及びIC素子3の電極やボンディング位置を含めて密に封止し、外皮樹脂6の硬さによって機械的強度を保つ。また、内皮樹脂5と外皮樹脂6とを同じ組成材質のエポキシ樹脂とすることで、線膨張係数の差をなくし内皮及び外皮の樹脂5,6の界面の接合度を高く維持する。

請求項（抜粋）：

半導体素子を2層の樹脂層で被覆封止する樹脂封止半導体装置であって、前記2層の樹脂層を、前記半導体素子の全体を封止する低ガラス転移点のエポキシ樹脂を使用した内皮樹脂と、前記内皮樹脂の全体を封止し当該内皮樹脂と同じ組成材質のエポキシ樹脂であって且つ前記内皮樹脂よりも高ガラス転移点の外皮樹脂とから構成したことを特徴とする樹脂封止半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/56 J ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 33/00 N ,  H01L 23/30 B

Fターム (26件)：

4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA21 ,  4M109EA03 ,  4M109EC01 ,  4M109EC03 ,  4M109EE02 ,  4M109GA01 ,  5F041AA31 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041DA07 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA83 ,  5F044AA01 ,  5F044AA02 ,  5F044AA07 ,  5F044JJ03 ,  5F061AA02 ,  5F061BA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061DE03 ,  5F061FA01