配線パターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-347917
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168096
出願日： 1999年12月07日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】基板上の配線が容易かつ確実に行うことができ、回路素子の歩留りを向上させることができる配線パターン形成方法を提供する。【解決手段】リフトオフ法を用いた配線パターンの形成方法において、基板2上に、前記基板2から除去が容易な犠牲層41を形成し、前記犠牲層41上にネガ型フォトレジスト層42を積層し、前記ネガ型フォトレジスト層42を、配線パターン形成領域をマスキングするフォトマスク6を介して露光、現像して、前記基板2上の配線パターン形成領域以外の領域に、前記犠牲層41と前記ネガ型フォトレジスト層42より成る積層体4を形成し、前記積層体4上と、前記積層体4の形成されていない基板2上に、それぞれ金属膜71、72を積層し、前記積層体4上に積層した金属膜71を、前記積層体4とともに除去することにより配線パターンを形成する。

請求項（抜粋）：

リフトオフ法を用いた配線パターンの形成方法において、基板上に、前記基板から除去が容易な犠牲層を形成し、前記犠牲層上にネガ型フォトレジスト層を積層し、前記ネガ型フォトレジスト層を、配線パターン形成領域をマスキングするフォトマスクを介して露光、現像して、前記基板上の配線パターン形成領域以外の領域に、前記犠牲層と前記ネガ型フォトレジスト層より成る積層体を形成し、前記積層体上と、前記積層体の形成されていない基板上に、それぞれ金属膜を積層し、前記積層体上に積層した金属膜を、前記積層体とともに除去することを特徴とする配線パターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/28 G , H01L 21/88 G

Fターム (10件)：

4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD62 , 4M104DD68 , 4M104HH20 , 5F033HH07 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ42 , 5F033XX34

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