特許
J-GLOBAL ID:200903031741303670

透明導電膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 久保田 耕平 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-218685
公開番号(公開出願番号):特開平6-041723
出願日: 1992年07月27日
公開日(公表日): 1994年02月15日
要約:
【要約】【目的】 低い抵抗率を有する透明導電薄膜を提供する。【構成】 Bi、Ti、Sn、In、Cd、Zn、Ni、Te、W、Mo、ZrおよびIrから選ばれる1種または2種以上の金属の酸化物を少なくとも含む、単層もしくは多層の膜であるところの透明導電膜において、さらに窒素原子が0.1〜60原子%含有されている。
請求項(抜粋):
Bi、Ti、Sn、In、Cd、Zn、Ni、Te、W、Mo、ZrおよびIrから選ばれる1種または2種以上の金属の酸化物を少なくとも含む、単層もしくは多層の膜であるところの透明導電膜において、さらに窒素原子が0.1〜60原子%含有されていることを特徴とする透明導電膜。
IPC (4件):
C23C 14/06 ,  C23C 16/30 ,  H01B 5/14 ,  H01L 31/04

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