半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-337323
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164590
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】機能性薄膜の特性回復を低温の熱処理により実現する。【解決手段】強誘電体膜を有するメモリセルが形成されたウエハWは、ウエハホルダ32に内蔵されたヒータ45によって約400°Cに加熱される。同時に、紫外線ランプ35,36,37からウエハWに紫外線を照射し、オゾン吐出口39からは、ウエハWにオゾンを供給する。さらに、酸素吐出口42からは、ウエハWに向けて酸素を供給する。こうして、熱エネルギーと熱以外のエネルギーとを併用して、強誘電体膜の特性を回復するための工程が実行される。【効果】アルミニウム配線やトランジスタなどの素子を劣化させることなく、強誘電体膜の特性を回復できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に機能性薄膜を形成する工程と、この機能性薄膜が形成された後の工程の影響による上記機能性薄膜の特性劣化を回復するための回復工程とを含み、上記回復工程は、熱以外のエネルギーを上記機能性薄膜に与える処理工程と、熱エネルギーを上記機能性薄膜に与える熱処理工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/314 , C23C 14/58 , H01L 21/26 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/314 A , C23C 14/58 Z , H01L 27/10 451 , H01L 21/26 F , H01L 27/10 651

Fターム (21件)：

4K029BA50 , 4K029BD01 , 4K029GA00 , 4K029GA01 , 5F058BA11 , 5F058BC20 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH17 , 5F058BH20 , 5F058BJ01 , 5F083AD21 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083GA21 , 5F083JA12 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA36 , 5F083PR23 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (5件)

強誘電体薄膜キャパシタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-178819 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
強誘電性メモリ回路の形成方法及び強誘電性コンデンサの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-035838 出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-296314 出願人：株式会社高純度化学研究所

全件表示

前のページに戻る