特許

J-GLOBAL ID：200903031745559440

配線の形成方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-295314
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136281
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 アルミニウム配線の配線幅の増加を来すことなくAlの粒界拡散を抑制し、エレクトロマイグレーション耐性を有し、しかもプロセスの簡便な配線形成法を得る。【構成】 シリコン基板上に酸化膜が形成される下地基板1上に、TiN/Ti構造のバリアメタル膜2を形成し、その上にAl膜3を形成し、Al膜3及びバリアメタル膜2をパターニングして配線パターンを形成する。次に、PSGでなる層間膜4を形成し、Al膜3の配線パターンの幅寸法と同程度の径寸法の開孔部5を層間膜4,Al膜3,バリアメタル膜を貫通するように形成する。次に、開孔部5にバリアメタル膜,Al膜6の順で埋め込みを行ない、開孔部5で寸断されていたAl膜3をAl膜6で電気的に接続する。このため、Al膜3はAl膜6とその下地であるバリアメタル膜により寸断されるため、Alの粒界拡散に起因するストレスマイグレーション,エレクトロマイグレーションの発生が抑制できる。また、ビアホールを利用してAl膜3を寸断できるためプロセスが簡便となる。

請求項（抜粋）：

バリアメタル膜上に第1のアルミニウム膜を形成し、これら積層膜をパターニングして配線パターンを形成した後、層間膜を形成し、次いで前記層間膜に配線用開孔部を形成する位置に該層間膜、アルミニウム膜及びバリアメタル膜を貫通する開孔部を形成し、この開孔部内に第2のアルミニウム膜を成長させることを特徴とする配線の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 N