特許

J-GLOBAL ID：200903031753497437

半導体素子の冷却構造および電磁遮蔽構造

発明者： 佐野 俊史 ,  山田 昌広 ,  梅沢 義明 ,  岡田 芳克 ,  名取 章
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  日本航空電子工業株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-351496
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202084
出願日： 1993年12月29日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 基板の両面に実装された半導体素子を同時に冷却する。電磁遮蔽を行うヒートシンクを容易に実装できるようにする。【構成】 セラミック基板の上面には表面実装型パッケージと取付板が、下面には半導体素子が取り付けられる。取付板には、ヒートシンクが取り付けられる。ヒートシンクと表面実装型パッケージの間にはラバーシートが挟持される。半導体素子から発生した熱は取付板を介してヒートシンクに伝導する。表面実装型パッケージから発生した熱は、ラバーシートを介してヒートシンクに伝導する。配線基板には接地用コンタクトが設けられる。ヒートシンクの下面に立設されたプレートを接地用コンタクトに挿入することにより、ヒートシンクが接地される。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板の下面に取り付けられた第1の半導体素子と、前記基板の上面に取り付けられた第2の半導体素子と、前記基板の上面に取り付けられた固定部材と、この固定部材に取り付けられ、前記第2の半導体素子と熱的に接触し、前記固定部材を介して前記基板と熱的に接触するヒートシンクとを含むことを特徴とする半導体素子の冷却構造。