過電流検出装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-198731
公開番号（公開出願番号）：特開2007-017262
出願日： 2005年07月07日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】オン抵抗Ronが小さい場合でも、比較器CMP101のオフセット電圧Voffの影響を低減して高精度な過電流検出が可能な過電流検出装置を提供する。【解決手段】スイッチング用のFET(T1)のソースに接続された銅箔パターン4の所定点P2と、該FET(T1)のドレインP1との間の電圧(V1-V2)を過電流判定電圧として、比較器CMP1の入力端子に供給し、基準電圧V3と比較する。この際、銅箔パターン4が有する抵抗Rpによる電圧降下分が存在するので、電圧(V1-V2)はFET(T1)の端子間電圧VDSよりも大きくなり、結果として、比較器CMP1が有するオフセット電圧Voffによる影響を低減することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

直流電源と負荷とを備えた負荷回路の、過電流の発生を検出する過電流検出装置において、前記直流電源と負荷との間に設けられるプリント基板を有し、該プリント基板は、前記直流電源と前記負荷との間に配設されて、オン、オフを切り替える半導体スイッチと、前記半導体スイッチと前記負荷との接続点の間に設けられた金属箔パターンと、を有し、更に、前記半導体スイッチの駆動を制御するドライバ回路と、前記直流電源を分圧して得られる基準電圧と、前記半導体スイッチの端子電圧と前記金属箔パターンに生じる電圧とを加算した過電流判定電圧と、を比較する比較手段と、を備え、前記比較手段にて、前記過電流判定電圧が前記基準電圧を超えたと判定された際に、前記ドライバ回路が前記半導体スイッチをオフとすることを特徴とする過電流検出装置。

IPC (6件)：

G01R 19/165 , H02H 3/08 , H02H 3/087 , H02H 7/00 , H03K 17/08 , H03K 17/695

FI (6件)：

G01R19/165 L , H02H3/08 T , H02H3/087 , H02H7/00 A , H03K17/08 C , H03K17/687 B

Fターム (35件)：

2G035AB02 , 2G035AC01 , 2G035AC02 , 2G035AC16 , 2G035AD03 , 2G035AD11 , 2G035AD23 , 2G035AD45 , 2G035AD47 , 2G035AD54 , 5G004AA04 , 5G004AB02 , 5G004BA03 , 5G004DA04 , 5G004EA01 , 5G053AA01 , 5G053BA01 , 5G053BA04 , 5G053CA01 , 5G053EA06 , 5G053EC03 , 5G053FA05 , 5J055AX11 , 5J055AX32 , 5J055AX64 , 5J055BX16 , 5J055CX20 , 5J055DX13 , 5J055DX54 , 5J055EX04 , 5J055EY01 , 5J055EY03 , 5J055EZ10 , 5J055FX05 , 5J055GX01

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体素子の過電流検出・保護装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-157750 出願人：矢崎総業株式会社

審査官引用 (4件)

特開平4-142468
特開平4-142468
能動制御される回路素子を含むコンポーネント
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-122735 出願人：ヴィエルティーコーポレーション

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