密着型イメージセンサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-150183
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151800
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】配線のパターン変換による特性の不均一性を無くし、かつ信頼性の高い密着型イメージセンサを得る。【構成】光電変換素子及び薄膜トランジスタの電極を、膜厚0.3μm以下のクロムで形成し、かつ配線マトリクスの少なくとも一部を膜厚1μm以上のAlにより形成することにより、配線の抵抗値を低くおさえながらパターンの寸法精度を向上させ、ひいては密着型イメージセンサの特性を向上させる。

請求項（抜粋）：

一次元に配列された複数個の光電変換素子と、前記複数個の光電変換素子に各々接続された薄膜トランジスタと、配線マトリクスを有する密着型イメージセンサにおいて、少なくとも前記光電変換素子及び前記薄膜トランジスタの電極がクロムにより形成されており、なおかつ前記配線マトリクスの少なくとも一部がアルミニウムにより形成されていることを特徴とする密着型イメージセンサ。

IPC (4件)：

H01L 27/146 , H01L 29/40 , H01L 29/784 , H04N 1/028

FI (2件)：

H01L 27/14 C , H01L 29/78 311 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭60-149179
特開平3-209768
特開平4-099380

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