表面処理装置及び表面処理方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-197217
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016006
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】本発明は、1m×1m乃至2m×2m級の大面積基板に対しても高速活均一性に優れた膜を形成することを課題とする。【解決手段】内部に基板がセットされる,排気系を備えた真空容器41と、この真空容器内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器41内に前記基板と対向して配置された電極45と、この電極45に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器41に配置される基板の表面を処理する表面処理装置において、前記電力供給系による前記電極45への電力供給箇所は、前記基板と対向する電極面の中央部に位置することを特徴とする表面処理装置。

請求項（抜粋）：

内部に基板がセットされる,排気系を備えた真空容器と、この真空容器内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器内に前記基板と対向して配置された電極と、この電極に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器に配置される基板の表面を処理する表面処理装置において、前記電力供給系による前記電極への電力供給箇所は、前記基板と対向する電極面の中央部に位置することを特徴とする表面処理装置。

IPC (8件)：

H01L 21/205 , C23C 16/509 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H01L 31/04 , H05H 1/46 , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 500

FI (9件)：

H01L 21/205 , C23C 16/509 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 M , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 500 , H01L 21/302 C , H01L 31/04 V , H01L 31/04 X

Fターム (52件)：

2H088FA18 , 2H088FA21 , 2H088FA23 , 2H088FA30 , 2H088HA08 , 2H090JB04 , 2H090JC07 , 2H090JC09 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BA30 , 4K030BB03 , 4K030BB04 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030FA03 , 4K030JA10 , 4K030JA18 , 4K030KA15 , 4K030LA16 , 4K030LA18 , 5F004AA01 , 5F004BA04 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004DA01 , 5F004DA13 , 5F004DA18 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AB04 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045BB01 , 5F045CA13 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EB08 , 5F045EH04 , 5F045EH13 , 5F045EH19 , 5F045EK21 , 5F051AA03 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051CA16

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