特許
J-GLOBAL ID：200903031769319946
ショットキバリアダイオードの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-252003
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097717
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 逆方向電流IRを増大させることなく、順方向電圧VFを低くすることができるショットキバリアダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】 N型シリコンウエハ表面の中央部にリンを蒸着する工程と、シリコンウエハ表面にエピタキシャル層を成長させつつ、リンをエピタキシャル層の表面に達しない程度までオートドープすることにより、エピタキシャル層内にエピタキシャル層の不純物濃度よりも高濃度のN型埋め込み層を形成する工程と、エピタキシャル層にP型ガードリング層を形成する工程と、エピタキシャル層に接触するようにショットキメタルを形成する工程を含む。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ表面の所望領域に前記半導体ウエハと同じ導電型を有する不純物を蒸着する工程と、前記半導体ウエハ表面にエピタキシャル層を成長させつつ、前記不純物を前記エピタキシャル層の表面に達しない程度までオートドープすることにより、前記エピタキシャル層内に前記エピタキシャル層と同じ導電型を有し、かつ前記エピタキシャル層の不純物濃度よりも高濃度の埋め込み層を形成する工程を含むことを特徴とするショットキバリアダイオードの製造方法。
引用特許：
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