特許
J-GLOBAL ID：200903031770708085
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-054072
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259376
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子の実装密度を高めると共に半導体装置を小型化する。【構成】 回路基板1に表裏に開口する開口部2を設ける。絶縁基板3に半導体素子4を実装して作成した素子実装板5を開口部2内に取着する。開口部2を覆うように回路基板1の表裏両面に絶縁層6を積層すると共に絶縁層6の表面に半導体素子4を実装する。回路基板1の開口部2内に実装する半導体素子4と回路基板1の表裏面に実装する半導体素子4とで3層に半導体素子4を実装することが可能になる。
請求項（抜粋）：
回路基板に表裏に開口する開口部を設け、絶縁基板に半導体素子を実装して作成した素子実装板を開口部内に取着し、開口部を覆うように回路基板の表裏両面に絶縁層を積層すると共に絶縁層の表面に半導体素子を実装して成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
