特許

J-GLOBAL ID：200903031774920364

誘電体磁器組成物

発明者： 柴田 将充
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102338
公開番号（公開出願番号）：特開平8-295559
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】 1160°C以下で焼成でき、1000以上の高誘電率でありながら、X8R特性を満足し、直流バイアス電圧を印加したときの静電容量の温度変化率が小さい、誘電体磁器組成物を提供することである。【構成】 一般式{100-(a+b+c+d+e)}BaTiO3+aBi2O3+bNb2O5+cMaO+dMbO2+eMc(ただし、MaはMg,Ca,Znの中から選ばれる少なくとも1種類、MbはTi,Sn,Zrの中から選ばれる少なくとも1種類、Mcは希土類酸化物のうちのY,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Dy,Ho,Erの中から選ばれる少なくとも1種類、a,b,c,dおよびeはモル%、1.0≦a≦6.0,0.5≦b≦4.5,0≦c≦4.0,1.5≦d≦15.0,0.5≦e≦ 5.5)で表される主成分が97.5〜99.95重量%、SiO2を主成分とするガラスからなる第1副成分が0.05〜2.5重量%からなる。

請求項（抜粋）：

一般式、{100-(a+b+c+d+e)}BaTiO3+aBi2O3+bNb2O5+cMaO+dMbO2+eMc(ただし、MaはMg,Ca,Znの中から選ばれる少なくとも1種類、MbはTi,Sn,Zrの中から選ばれる少なくとも1種類、Mcは希土類酸化物のうちのY,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Dy,Ho,Erの中から選ばれる少なくとも1種類、a,b,c,dおよびeはモル%)で表される主成分が97.5〜99.95重量%、ただし、前記一般式のa,b,c,dおよびeがそれぞれ次の範囲にある1.0≦a≦ 6.00.5≦b≦ 4.50 ≦c≦ 4.01.5≦d≦15.00.5≦e≦ 5.5SiO2を主成分とするガラスからなる第1副成分が0.05〜2.5重量%、からなる誘電体磁器組成物。

IPC (2件)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303

FI (2件)：

C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-217519   出願人：株式会社村田製作所
• 誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-204627   出願人：株式会社村田製作所