特許

J-GLOBAL ID：200903031780184718

非晶質半導体の形成方法

発明者： 佐山 勝信 ,  白玖 久雄 ,  中嶋 行雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087722
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259096
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、光導電率が高く、しかも、光劣化が少ない非晶質半導体を形成できる非晶質半導体の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 減圧下における放電分解による気相反応を用いて、所定の基板3上に水素化非晶質半導体薄膜8を形成する非晶質半導体の形成方法であって、前記基板3の温度を400°C以上550°C以下とし、毎秒3Å以上の堆積速度で水素化非晶質半導体薄膜8を基板3上に堆積する堆積工程と、放電分解を停止した上で同じ基板温度に放置して水素化非晶質半導体薄膜8から一部の水素を脱離させる脱水素工程とを交互に繰り返す。

請求項（抜粋）：

減圧下における放電分解による気相反応を用いて、所定の基板上に水素化非晶質半導体薄膜を形成する非晶質半導体の形成方法であって、前記基板の温度を400°C以上550°C以下とし、毎秒3Å以上の堆積速度で水素化非晶質半導体薄膜を基板上に堆積する堆積工程と、放電分解を停止した上で同じ基板温度に放置して一部の水素を脱離させる脱水素工程とを交互に繰り返すことを特徴とする非晶質半導体形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-342122
  
• 特開昭63-131512
  
• 特開平3-217014