特許

J-GLOBAL ID：200903031780462858

半導体装置およびその製造方法

発明者： 堤 聡明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-088038
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288241
出願日： 1995年04月13日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 サリサイド技術による金属シリサイド層の形成において、絶縁領域へのオーバー成長を抑制するとともに、熱処理においても安定した性質の金属シリサイド層を得る。【構成】 基板1全面にCo膜8とシリサイド形成温度がCo膜8より高いTi膜9とを順次形成し、コバルト(Co)のシリサイド形成温度より高くかつチタン(Ti)のシリサイド形成温度より低い温度で加熱処理を行うことにより、表面の部分のみコバルト(Co)およびチタン(Ti)を含有しかつ他の部分はコバルト(Co)のみ含有する金属シリサイド層10を形成する。【効果】 絶縁領域へのオーバー成長を抑制でき、ショート不良が防止される。

請求項（抜粋）：

シリコン領域と絶縁材料の領域とに仕切られた半導体基板の表面に、金属膜を形成した後加熱処理を行うことにより、自己整合的に形成した金属シリサイド層を有する半導体装置において、前記金属シリサイド層の表面の部分は、第1の金属とシリサイド形成温度が前記第1の金属より高い第2の金属とを含有する金属シリサイドで形成され、他の部分は前記第1の金属のみを含有する金属シリサイドで形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-230631   出願人：日本電気株式会社