特許

J-GLOBAL ID：200903031784884218

窒化ガリウム系化合物半導体受光素子

発明者： 中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-078294
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288334
出願日： 1994年04月18日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 近紫外から赤色領域まで幅広い領域に感度を有し、また信頼性に優れた受光素子を提供する近紫外から赤色領域まで幅広い領域に感度を有し、また信頼性に優れた受光素子を提供する。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層4とp型窒化ガリウム系化合物半導体層6との間に、受光層5としてIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層(0<X<1)が挟まれたダブルへテロ構造を有する。

請求項（抜粋）：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、受光層としてIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層(0<X<1)が挟まれたダブルへテロ構造を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/04 E