特許
J-GLOBAL ID：200903031787493350
静電容量型半導体力学量センサ及び製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松井 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021785
公開番号（公開出願番号）：特開平9-196700
出願日： 1996年01月13日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 特殊な治具を用いることなく陽極接合時に固定電極と可動電極を同電位にできる静電容量型半導体力学量センサの製造方法を提供すること【解決手段】 ガラス基板20上に固定電極21等を製造するのと同時に固定電極から引き出される短絡導電パターン23を形成する。このパターン23の先端部23aを、シリコン半導体基板側の支持枠と、ガラス基板の接合領域24に位置させる。陽極接合時には短絡導電パターンの先端部がシリコン半導体基板に接触するので、短絡導電パターン及びシリコン半導体基板を介して固定電極と可動電極は電気的に短絡し、同電位になるため、電極間の静電引力による電極同士の接触がなくなる。陽極接合後には、両電極間に高電圧を印加し、短絡導体ターンに通電して発熱させる。電流値がある一定以上になると、短絡導電パターンが溶断され電極間は絶縁され、センサとして機能する。
請求項（抜粋）：
絶縁性の固定基板の表面に固定電極を形成し、前記固定電極に対向するように前記固定基板と、可動電極を有する半導体基板を接触させるとともに、両基板間に陽極接合電圧を印加して陽極接合させて一体化する工程を含む静電容量型半導体力学量センサの製造方法において、前記両基板を接触させる前に、前記固定電極に導通するとともに、その一部が前記両基板が接触する接合領域に位置する短絡導電部を、前記固定基板の表面に設け、前記陽極接合した後、前記短絡導電部を切断あるいは抵抗値を上昇させるようにしたことを特徴とする静電容量型半導体力学量センサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01D 5/24 A
, H01L 29/84 Z
