特許

J-GLOBAL ID：200903031789829860

電荷転送素子

発明者： 中川 進次
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-309393
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148561
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 転送レジスタの取扱い電荷量の増大及び転送レジスタでの信号電荷の転送効率の改善を図る。【解決手段】 信号電荷を一方向に転送する転送チャネル領域14と、この転送チャネル領域14上に該転送チャネル領域14に対して電荷転送のための電位変化を生じさせる第1〜第3の垂直転送電極11A〜11Cが多数配列されたイメージセンサにおいて、第1〜第3の垂直転送電極11A〜11Cのうち、第2の垂直転送電極11Bの抵抗値を第1及び第3の垂直転送電極11A及び11Cの抵抗値よりも低い値となるように構成する。具体的には、第2の垂直転送電極11Bの膜厚yを他の垂直転送電極11A及び11Cの膜厚x及びzよりも厚く形成する。

請求項（抜粋）：

信号電荷を一方向に転送する転送チャネル領域と、該転送チャネル領域上に該転送チャネル領域に対して電荷転送のための電位変化を生じさせる3層の転送電極群が電荷転送方向に多数配列された電荷転送素子において、上記3層の転送電極群のうち、2層目の転送電極の抵抗値が1層目及び3層目の転送電極の抵抗値よりも低い値を有することを特徴とする電荷転送素子。

IPC (4件)：

H01L 29/762 ,  H01L 21/339 ,  H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 29/76 301 A ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-176757   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-266537
  
• 特開平4-350946
  
• 特開平3-250982
  

審査官引用 (1件)

• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-176757   出願人：ソニー株式会社