特許

J-GLOBAL ID：200903031791177292

圧力センサ装置及びその製造方法とエッチング液

発明者： 村上 友章 ,  加藤 貴雄
出願人/特許権者： 株式会社沖システック東海 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-078027
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291335
出願日： 1993年04月05日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 クレータ発生や、ピエゾ抵抗素子の濃度低下等によるセンサ特性の劣化を防止する。【構成】 シリコン基板1の所定箇所にピエゾ抵抗素子5を形成すると共に、ベース層6、エミッタ層7及びコレクタ層8からなるトランジスタを形成する。ピエゾ抵抗素子5に対応するシリコン基板1の底面に、Alを0.005%以上含有するKOH溶液を用いてエッチングし、凹部形状のダイアフラム18を形成する。このダイアフラム18の面には、相互に接続された微小クレータ18cが均一な密度で形成される。このような圧力センサ装置では、印加された圧力によってダイアフラム18が変形し、その歪によるピエゾ抵抗素子5の抵抗値変化が、ベース層6、エミッタ層7及びコレクタ層8からなるトランジスタによって電気信号に変換される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の一方の面に穿設された凹部の底面に形成され、印加圧力により変形して歪を生じる薄肉状のダイアフラムと、前記シリコン基板のダイアフラム上に形成され、前記歪によって抵抗値が変わるピエゾ抵抗素子とを、備えた圧力センサ装置において、前記凹部の底面に、相互に接続されたクレータを均一な密度で形成したダイアフラム構造にしたことを特徴とする圧力センサ装置。

IPC (3件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 21/308