銀、ニオブ及びタンタルを含有する誘電性セラミック基体を備えたマイクロ波デバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-524253
公開番号（公開出願番号）：特表2004-508672
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

本発明は、基体(1)、入力結合面(6)及び出力結合面(7)を備え、基体(1)はセラミック材料を有するマイクロ波デバイスにおいて、前記のセラミック材料は少なくとも2つの異なるそれぞれ相互に別個の相の形で存在する成分を含有し、これらの成分はそれぞれAサイトに銀を有しかつBサイトにニオブ及びタンタルを有するペロブスカイト構造を有し、成分Aの組成及び及び成分Bの組成は、その誘電率の温度係数TKεA及びTKεBが一定の温度区間において相互に異なる符号を有するように選択されている、マイクロ波デバイスに関する。成分A/成分Bの混合比はリヒテンエッカーの規則に応じて誘電率の温度係数TKεA及びTKεBの温度依存性のできる限り完全な補償が生じる用に選択するのが有利である。TKεA及びTKεBの温度推移は有利に量比ニオブ/タンタルにより並びにドーパントの添加により調整することができる。

請求項（抜粋）：

基体(1)、入力結合面(6)及び出力結合面(7)を備え、基体(1)はセラミック材料を有するマイクロ波デバイスにおいて、前記のセラミック材料は少なくとも2つの異なるそれぞれ相互に別個の相の形で存在する成分を含有し、これらの成分はそれぞれAサイトに銀を有しかつBサイトにニオブ及びタンタルを有するペロブスカイト構造を有し、成分Aの組成及び及び成分Bの組成は、その誘電率の温度係数TKεA及びTKεBが温度区間において相互に異なる符号を有するように選択されている、マイクロ波デバイス。

IPC (3件)：

H01B3/12 , C04B35/495 , H01P7/10

FI (4件)：

H01B3/12 312 , H01B3/12 307 , H01P7/10 , C04B35/00 J

Fターム (39件)：

4G030AA02 , 4G030AA03 , 4G030AA04 , 4G030AA08 , 4G030AA09 , 4G030AA10 , 4G030AA11 , 4G030AA17 , 4G030AA19 , 4G030AA20 , 4G030AA21 , 4G030AA30 , 4G030AA34 , 4G030AA35 , 4G030AA39 , 4G030AA40 , 4G030BA09 , 5G303AA10 , 5G303AB06 , 5G303AB08 , 5G303AB11 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CB03 , 5G303CB05 , 5G303CB06 , 5G303CB14 , 5G303CB16 , 5G303CB20 , 5G303CB21 , 5G303CB25 , 5G303CB31 , 5G303CB32 , 5G303CB33 , 5G303CB39 , 5G303CB41 , 5G303CB42 , 5G303CB43 , 5J006HC07

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